在最近的ISSCC 2025上，铠侠和闪迪公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D NAND闪存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。

据TomsHardware报道，BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起，铠侠采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps。

速度的提升还有部分原因在于NAND闪存层数的增加，从第八代BiCS FLASH闪存技术的218层增至332层，总层数增加了38%。优化平面布局后，位密度提升了59%，进一步增强了存储密度。

此外，新一代3D NAND闪存还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，其中数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。铠侠首席技术官宫岛秀表示，随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。

近日，英特尔在ISSCC 2025上，公布了其在半导体制造领域的一些进展，介绍了备受期待的Intel 18A工艺技术，还强调了SRAM密度的重大改进。

据HardwareLuxx报道，英特尔称SRAM位单元尺寸将从Intel 3工艺的0.03μm²缩小到Intel 18A工艺的0.023μm²，HDC也显示出类似的改进，缩小到0.021µm²，取得了不错的进步。相比之下，台积电N5、N3B和N2工艺的SRAM位单元大小分别为0.021µm²、0.0199μm²和0.0175μm²。

英特尔还在Intel 18A引入了PowerVia背部供电技术，这是其解决处理器逻辑区域电压下降和干扰的首选方法。英特尔采用了“环绕阵列”方案，战略性地将PowerVias应用于 I/O、控制和解码器元件，同时优化了位单元设计，而无需正面供电。

Intel 18A的SRAM密度为31.8Mb/mm²，比起台积电N3E相当，比起N2的38Mb/mm²要逊色一些。英特尔希望结合PowerVia和GAA晶体管架构，可以向台积电发起挑战，争夺像英伟达、苹果和高通这类高端客户。

据分析机构TechInsights的最新数据，2024年Q4全球折叠屏智能手机出货量为380万，同比下降18%。华为超越三星，成为市场领头羊，占据31.2%的市场份额，而三星跌至第二位，市场份额为26.7%。荣耀凭借14.3%的出货量份额稳居第三。摩托罗拉凭借其Razr系列产品的成功，以9.0%的市场份额保持第四的位置。

从地区来看，亚太地区在出货量上占据主导地位，占比73%，华为、荣耀、三星、vivo和小米是主力厂商。其中，华为在亚太地区的表现明显更强，以42.5%的市场份额位居榜首，几乎吃下了一半市场。

据爆料，华为将在3月底推出全新小折叠Pocket 3，该机型非常守女性用户喜爱，口碑和销量都不错，爆料称新款设计上更薄、更小、更轻便。届时Pocket 3将进一步主力华为折叠屏提升市场份额。

日前，华擎推出了其首款“Pro X3D”系列AMD主板，包括B650M Pro X3D和B650M Pro X3D WiFi（6E）两个型号。这款主板号称专为AMD Ryzen X3D处理器优化，能提供卓越的稳定性、兼容性和增强的性能，非常适合游戏和创作场景。

不过，华擎强调其Pro X3D系列主板为X3D处理器优化，但技术规格上并未看到针对X3D芯片的特殊功能或设计。

实际上，这款主板更像是华擎之前B850M Pro RS主板的“重命名”版本，两者在外观和设计规格上几乎完全相同，甚至还不及B850M Pro RS。

规格方面，B650M Pro X3D支持AMD Ryzen 9000、8000G和7000系列CPU（包括X3D型号），配备四个DDR5内存插槽。还配备了1个PCIe 5.0 x16插槽、1个PCIe 4.0 x16插槽、2个M.2插槽（1个PCIe 5.0 + 1个4.0），后置接口包括双USB 3.2 Gen 2（Type-C和Type-A）、两个USB 3.2 Gen 1 Type-A、四个USB 2.0、1个HDMI、1个DP 1.4和1个网口。

这款主板可能仅在特定地区推出，并没有计划进行全球铺货。

昨天，苹果推出了iPhone 16e，也就是大家一直说的iPhone SE 4或者第四代iPhone SE，提供黑色与白色两种优雅哑光外观，售价4499元起。其中搭载了A18芯片（6核CPU+4核GPU），另外还有全新的Apple C1，这是首款由苹果设计的蜂窝网络调制解调器，具备快速稳定的5G网络连接性。

据TrendForce报道，A18和基带芯片C1均选择了台积电（TSMC）代工制造。

其中A18采用了3nm工艺（N3E），另外供应链消息人士透露，该款芯片其实利用了集成扇出封装（InFO-PoP）。不过不同于其他iPhone 16系列机型的6核CPU+5/6核GPU配置，iPhone 16e搭载的版本减至6核CPU+4核GPU。基带芯片C1的基带调制解调器采用4nm工艺，而接收器采用了7nm工艺，两部分都应该由台积电负责。

有高通高管向媒体透露，尽管高通与苹果的技术许可协议至少到2027年仍然有效，但是随着苹果自研基带芯片上线，预计到2026年，高通在苹果调制解调器市场的份额将大幅度减少，从目前的100%降至20%。

此外，苹果还打算扩大自研基带芯片的应用范围，明年可能将C1集成到Apple Watch和iPad上，然后再扩展到Mac。

第二代自研基带芯片代号“Ganymede”，预计2026年到来，采用3nm工艺，接下来还有第三代自研基带芯片，代号“Prometheus”，两者很可能都是找台积电代工。

荣耀MagicBook Pro 14笔记本新品发布会将在2月26日举行，这款笔记本搭载英特尔酷睿Ultra 9 285H处理器，在HonOR Turbo X技术加持下实现了80W性能满血释放，流畅运行多任务。

荣耀终端朱臣才表示，烤机80W是硬件基础散热能力，并不能代表用户使用时的实际性能表现。用户实际使用时，根据前台不同的应用、不同操作、后台不同负载，对性能的需求千差万别，这时就需要调校，通过精细的场景感知，快速的决策，精准的调度实现性能按需调校，从而实现性能随叫随到。

AI时代下，HonOR Turbo X是荣耀PC调校技术的最优一代，至今已历经四代演进，搭载此项技术的MagicBook Pro 14续航时长超12小时，比肩苹果MacBook，也是Windows PC首发离电插电同性能的产品。

此外，消息表明全新荣耀MagicBook Pro 14配备14.6英寸绿洲护眼屏，拥有专业色彩显示管理，全面接入DeepSeek模型，荣耀YOYO智能体将与DeepSeek进行深度融合，提供更强的AI体验。