隨著智慧型手機以及平板電腦的薄型化、大容量化的發展,市場對快閃記憶體(Flash Memory)、內存控制器(Memory Controller)薄型化的要求也不斷提高,以往的製程面臨著極薄晶圓的搬運以及切割時的崩裂等課題。
SDBG製程在解決這些課題的同時，也可時間以下附加價值。

• 增加晶粒獲取數量
• 提高薄型晶粒的抗折強度

SDBG製程是於隱形切割加工後進行背面研磨的技術,可實現薄型晶片的切割道狹窄化以及抗折強度的提升。
經由與分離擴片機（DDS Series）的組合運用,可將薄型晶片積層時作為接合材所使用的DAF(Die Attach Film)高品質分割。

使用隱型切割加工時,刀痕寬度幾乎為零,因此對切割道狹窄化大有貢獻。與通常的刀片切割製程相比,單位晶圓可獲取的晶片數量有望增加。

刀片切割製程在晶片表面、背面造成的崩裂以及在晶片側面留下的加工痕，都對抗折強度有所影響。
SDBG為使用隱形切割加工在晶片內部形成變質層,再以變質層為起點進行分割,最後透過研磨將變質層除去的製程。 因此,SDBG製程不僅可以減少表面、背面的崩裂,並可製作出側面無加工痕的高強度的薄型晶片。